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Silicon全新BG24 CSP將AI/ML引入醫(yī)療應(yīng)用

來源：http://m.sdyoujian.cn 作者：億金電子 2024年03月13
Silicon全新BG24 CSP將AI/ML引入醫(yī)療應(yīng)用
Silicon推出了業(yè)界首款內(nèi)置AI/ML硬件加速器的無線SOC，即XG24系列SOC。XG24已經(jīng)成為我們客戶構(gòu)建Matter認證設(shè)備、多協(xié)議操作、藍牙LE應(yīng)用等的游戲規(guī)則改變者。我們很高興地宣布BG24現(xiàn)已采用芯片級封裝（CSP）。讓我們回顧一下BG24。
 
BG24結(jié)合了78MHz ARM Cortex-M33處理器、石英晶振高性能2.4GHz無線電、行業(yè)領(lǐng)先的20位ADC、閃存（高達1536 kB）和RAM（高達256 kB）的優(yōu)化組合以及AI/ML硬件加速器，可在卸載ARM Cortex-M33的同時處理機器學(xué)習(xí)算法，因此應(yīng)用程序有更多的周期來處理其他工作。這些SOC支持廣泛的2.4GHz無線物聯(lián)網(wǎng)協(xié)議，具有市場上最高的安全性和最佳的射頻性能/能效比。
 
BG24系列貼片晶振還提供先進的模擬和數(shù)字外設(shè)，如帶16位ENOB的20位模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），以及16位ADC和12位ADC、精確的片內(nèi)基準(zhǔn)電壓源和強大的RF干擾容限，使您能夠設(shè)計高度精確的醫(yī)療設(shè)備，獲得市場競爭優(yōu)勢，提高客戶滿意度并增加產(chǎn)品銷量。


 
AI/ML加速提高了性能和能效
當(dāng)考慮部署人工智能或物聯(lián)網(wǎng)中的機器學(xué)習(xí)，設(shè)計人員通常會犧牲性能和能耗來實現(xiàn)邊緣應(yīng)用。BG24系列貼片晶振配備了專用的內(nèi)置AI/ML加速器，該硬件旨在快速高效地處理復(fù)雜計算–性能提高4倍，能效提高高達6倍。ML計算在本地設(shè)備上進行，而不是在云中進行，并且消除了網(wǎng)絡(luò)延遲，從而可以更快地做出決策和采取行動。
 
BG24系列石英晶振擁有Silicon Labs產(chǎn)品組合中最大的閃存和隨機存取存儲器（RAM）容量，允許設(shè)備針對大型數(shù)據(jù)集的訓(xùn)練有素的ML算法進行發(fā)展。PSA級認證安全保險庫是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的最高級別安全認證，提供門鎖、醫(yī)療設(shè)備和其他敏感部署等產(chǎn)品所需的安全性，在這些產(chǎn)品中，加強設(shè)備免受外部威脅至關(guān)重要。
 
人工智能/人工智能正在對醫(yī)療保健領(lǐng)域產(chǎn)生巨大影響。我們在美國的許多客戶便攜式醫(yī)療設(shè)備例如血糖儀（BGM）、連續(xù)血糖監(jiān)測儀（CGM）、血壓監(jiān)測儀、脈搏血氧儀、胰島素泵、心臟監(jiān)測系統(tǒng)、癲癇管理、唾液監(jiān)測等，都看到AI/ML正在幫助創(chuàng)建更智能、更快速、更節(jié)能的應(yīng)用。

采用CSP封裝的EFR32BG24B310F1536IJ42無線SoC是BLE臨床和便攜式醫(yī)療、智能家居和照明設(shè)備物聯(lián)網(wǎng)無線連接的理想解決方案。憑借高性能射頻、低功耗、AI/ML硬件加速器和最高PSA認證3級安全性等關(guān)鍵特性，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造商可以在小巧的外形中創(chuàng)建最智能、最快、最節(jié)能的應(yīng)用，同時保護最終用戶的隱私。高達1536 MB的閃存和256 kB的RAM以及高達20個GPIO的大內(nèi)存為軟件、設(shè)計、協(xié)議和外設(shè)提供了最大的資源，同時為增長留出了空間。

原廠代碼 進口晶振 型號 頻率 電壓
510BBA156M250BAGR Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V
511FBA125M000BAG Silicon晶振 Si511 125MHz 2.5V
511BBA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V
511BBA148M500BAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V
511ABA156M250AAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V
511BBA200M000BAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V
530FB125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 2.5V
531BB125M000DG Silicon晶振 Si531 125MHz 3.3V
530BB125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V
531FB200M000DG Silicon晶振 Si531 200MHz 2.5V
530FB200M000DG Silicon晶振 Si530 200MHz 2.5V
530BC156M250DG Silicon晶振 Si530 156.25MHz 3.3V
531FC250M000DG Silicon晶振 Si531 250MHz 2.5V
511BBA100M000BAG 有源晶振 Si511 100MHz 3.3V
510BBA125M000BAG Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V
511BBA125M000BAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V
511ABA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V
511BBA000110BAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V
511BBA148M500AAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V
511FBA200M000BAG Silicon晶振 Si511 200MHz 2.5V
510BBA200M000BAG Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V
511FBA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 2.5V
511ABA25M0000BAG Silicon晶振 Si511 25MHz 3.3V
511FCA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V
511BCA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V
530BA125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V

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