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首頁進口晶振日本村田陶瓷晶振村田晶振,CSTCR4M00G55-R0晶振,三腳晶振

村田晶振,CSTCR4M00G55-R0晶振,三腳晶振

  • 頻率:10MHZ
  • 尺寸:4.0*2.5mm
  • 應 用: MEMS硅晶振與石英晶振區別:MEMS硅晶振采用硅為原材料,采用先進的半導體工藝制造而成。因此在高性能與低成本方面,有明顯于石英的優勢,具體表現在以下方面:村田晶振,CSTCR4M00G55-R0晶振,三腳晶振1)全自動化半導體...
  • RoHS RoHS2


        MEMS硅晶振與石英晶振區別:
MEMS硅晶振采用硅為原材料,采用先進的半導體工藝制造而成。因此在高性能與低成本方面,有明顯于石英的優勢,具體表現在以下方面:村田晶振,CSTCR4M00G55-R0晶振,三腳晶振
1) 全自動化半導體工藝(芯片級),無氣密性問題,永不停振。
2) 內部包含溫補電路,無溫漂,-40—85℃全溫保證。
3) 平均無故障工作時間5億小時。
4) 抗震性能25倍于石英振蕩器。
5) 支持1-800MHZ任一頻點,精確致小數點后5位輸出。
6) 支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多種工作電壓匹配。
7) 支持10PPM、20PPM、25PPM、30PPM、50PPM等各種精度匹配。
8) 支持7050、5032、3225、2520所有標準尺寸封裝。
9) 標準四腳、六腳封裝,無需任何設計改動,直接替代石英振蕩器。
10) 支持差分輸出、單端輸出、壓控(VCXO)、溫補(TCXO)等產品種類。
11) 300%的市場增長率,三年內有望替代80%以上的石英振蕩器市場。

        自1944年創業以來,村田得到了巨大的發展,在2013年度制定的中期構想最終年度的2015年度,營業額達到了在村田晶振的歷史上具有里程碑意義的萬億日元。在此衷心感謝廣大客戶和各利益相關方長期以來的大力支持。
        世界經濟的前景雖不明朗,但電子設備社會正在迅速、切實地向前發展。而這樣的變化也為村田帶來了新的商機。村田制定了新的“中期構想2018”以及“長期構想”,指明了為電子設備社會的發展做貢獻的未來發展之路。村田晶振,CSTCR4M00G55-R0晶振,三腳晶振
在通信市場,由于智能手機所安裝元件的增加,以及載波聚合技術※的普及,村田的元件及模塊的需求也在不斷地提高,今后,通信市場仍將成為村田的一大支柱。為此,我們將通過供應鏈管理而實現的穩定供應體制,以及范圍廣泛的產品陣容,為通信市場提供新的價值。
        此外,我們也將把汽車、能源、醫療保健作為重點市場,并提供只有村田才能實現的價值。在新感應技術及通信技術需求不斷提高的IoT社會,村田將作為一個重要的參與者來體現其存在的價值,并不斷強化制造、技術開發及人才開發等事業基礎。
        村田晶振的發展永無止境,而在新的發展過程中“經營理念”也將始終是各項工作的基礎。我們要讓分布在世界各地的全體村田員工充分理解村田的“經營理念”,使村田永遠成為為客戶和社會而存在的企業。

Type CSTCR4M00G55-R0晶振
Frequency 4.00MHZ
Frequency Tolerance ±0.50% max. (25±1℃)
Operating Temperature Range -40℃ to 125℃
Frequency Shift by Temperature  ± 0.50%max.
Frequency Aging ±0.10% max./year(±3ppm max./5years)
Wash Not available
Load Capacitance 39pF
Equivalent Series Resistance(max.) 50Ω
Drive Level(max.) 0.2μW
Shape SMD
L x W (size) 4.5x2.0mm



        村田晶振,CSTCR4M00G55-R0晶振,三腳晶振使用的場合特別多,大部分電路中都會使用到,這也是工程師在做電路設計中,需要了解了注意的一些問題。首先我們需要了解村田無源晶振有哪些基本特性,其次,我們需要知道村田無源晶振在使用中的基本公式等。
        影響無源晶振穩定性的主要有以下幾個參數:驅動功率、負載電容和負性阻抗。圖一為無源晶振的基本電路。外部的無源晶振、匹配電容和IC內部的驅動部分一起組成整個的振蕩電路。
1)驅動功率
        驅動功率表示振蕩晶體單元所需的電功率。如果驅動功率太小不足以驅動無源晶振,則會導致晶振不起振;如果驅動功率過大,則會導致輸出頻率偏移。這是因為功率過大會造成晶體的應力,從而導致溫度升高。如果在晶體單元上施加過多的驅動功率,可能會使晶體惡化甚至損壞其特性。驅動功率可以通過下面的公式計算:
DriveLevel=I⊃2;•Re(W)
其中,I表示通過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的等效電阻。
        那么如何避免這種問題呢?電阻RD常用來防止晶振被過分驅動,可用一臺示波器檢測OSC輸出腳,如果檢測到非常清晰的正弦波,且正弦波的上限值和下限值都符合時鐘輸入需要,則晶振未被過分驅動;相反,如果正弦波形的波峰,波谷兩端被削平,而使波形成為方形,則晶振被過分驅動。這時就需要用電阻RD來防止晶振被過分驅動。判斷電阻RD大小的最簡單的方法就是串聯一個微調電阻,從0開始慢慢調高,一直到正弦波不在被削平為止,通過此辦法就可以找到最接近的電阻RD值。

2)負載電容
        理論上,當無源晶振電路的等效電容等于負載電容時,無源晶振輸出的頻率最準確。而電容具有充放電的功能,電容容值越大,放電越慢,電容容值越小,放電越快。如果測得的實際頻率比理論值偏小,說明振蕩器振蕩頻率偏慢,電容的放電太慢,等效電容大于負載電容,需要降低外部的匹配電容。負載電容公式如下:
CL=(CG//CD)+CS
即:CL=[(CGxCD)/(CG+CD)]+CS
其中,CG、CD表示匹配電容,CS表示雜散電容。
        頻率容限和負載電容的特性關系,負載電容越大,頻率容限越小,輸出的頻率越容易調準。

3)負性阻抗
        負性阻抗是用來評價振蕩回路品質(Q)的指標。在某些情況下(老化,溫度變化,電壓變化…等),振蕩回路會失效,回路可能不起振,因此負性阻抗(Negativeresistance,-R)的確認就變得相對重要。穩定的振蕩回路,負性阻抗(-R)至少為Crystal阻抗的5倍以上。
1>串聯電阻R到Crystal的輸出端(Xout);
2>調整R值,使Crystal由起振至停止振蕩;
3>當電路由起振至停止振蕩時,測量R值;
4>得到負性阻抗|-R|=R+Re,Re=R1(1+C0/CL)^2,R1就是ESR的值。
        由上可知負載電容CL是非常重要的因素。例如,負載電容小的晶體,驅動功率小,消耗電流小,啟動時間短,容易起振,同時也使頻率容限大和更壞的頻率穩定度。因此在無源晶振選型時,需要充分考慮到這些特性,這樣才能設計出可靠的晶振



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