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- 頻率：80~200MHZ
- 尺寸：5X7mm詳細(xì)請(qǐng)瀏覽PDF文檔
- 應(yīng) 用： 貼片晶振,"VG-4512CA 125.0000M-GGCT0"石英晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
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VG-4512CA進(jìn)口貼片晶振,深圳愛(ài)普生晶振代理,晶振批量?jī)r(jià)格，"VG-4512CA 125.0000M-GGCT0",貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
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項(xiàng)目
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記 號(hào)
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VG-4512CA |
條 件
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頻率
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f_nom
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80~200MHZ
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頻率容許偏差
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f_tol
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±20x10−6, ±50x10−6
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頂點(diǎn)溫度
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Ti
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+25±5°C
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二級(jí)溫度系數(shù)
|
B
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(−3.5±1.0)x10−8/°C2
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負(fù)載容量
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CL
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7.0pF/9.0pF/12.5pF
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串聯(lián)電阻
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R1
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65kÙ 最大值
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絕對(duì)最大激勵(lì)等級(jí)
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DLmax.
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1μW
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推薦激勵(lì)等級(jí)
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DL
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0.1μW
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并聯(lián)電容
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C0
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0.8pF 典型值
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頻率老化程度
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f_age
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±3x10-6
|
+25±3°C，第一年
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工作溫度范圍
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T_use
|
-20°C～+70°C
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保存溫度范圍
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T_stg
|
-55°C～+125°C
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單件保管
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"VG-4512CA 125.0000M-GGCT0",一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）Rf為具有200KΩ1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.Rd為限流電阻470Ω與1KΩ.這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.一個(gè)穩(wěn)定的石英晶體振蕩器振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶體阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶體的電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.
"VG-4512CA 125.0000M-GGCT0", 愛(ài)普生科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營(yíng)管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動(dòng)環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施.并不斷透過(guò)教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識(shí),藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力.
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聯(lián)系人：黃娜
公司：深圳市億金電子有限公司
SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
電話：0755-27876565
手機(jī)：18924600166
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郵箱：yijindz@163.com
網(wǎng)站：http://m.sdyoujian.cn
地址：廣東省深圳市寶安區(qū)新安107國(guó)道旁
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