陶瓷霧化片 Atomization Piece
陶瓷晶振 Ceramic SMD crystal
陶瓷濾波器 CeramicFilter
聲表面濾波器|諧振器 SAW filter
千赫晶體KHZ KHz Crystal
石英晶振 Quartz Crystal
貼片晶振 SMD crystal
NJR晶振
應達利晶振
日本大真空晶體 KDS晶振
精工晶振 SEIKO晶體
日本村田陶瓷晶振
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愛普生晶振 EPSON晶振
NSK晶振 NSK晶振
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TXC晶振 TXC晶振
鴻星晶振 鴻星晶振
加高晶振 加高晶振
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希華晶振 希華晶振
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CTS晶振
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AEL晶振
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Frequency晶振
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WI2WI晶振
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ARGO晶振
ACT晶振
Milliren晶振
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rubyquartz晶振
美國Oscilent晶振
韓國SHINSUNG晶振
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C-TECH晶振
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FMI晶振
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石英晶體振蕩器 石英晶體振蕩器
壓控晶振 壓控晶振
溫補晶振 溫補晶振
壓控溫補晶振 壓控溫補晶振
恒溫晶振 恒溫晶振
差分晶振 差分晶振
32.768K有源晶振 32.768K有源晶振
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諧振器NX3225GA,NDK石英無源晶振,進口壓電晶體
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諧振器NX3225GA,NDK石英無源晶振,進口壓電晶體超小型石英晶片的設計:石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內,由于晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強,從而造成如若晶片的長度或寬度尺寸設計不正確、使得振動強烈耦合導致晶片不能正常工作,從而導致產品在客戶端不能正常使用,研發及生產超小型石英晶體元器件完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題,

型號 | NX3225GA | |||
包裝(pcs) | 3000/pcs | |||
頻率范圍(MHZ) | 8.490 to 50 | |||
頻率公差 | Max. ±25 ×10-6 | Max. ±50 ×10-6 | Max. ±100 ×10-6 | |
工作溫度 | 0 to +70 | 0 to +85 | 0 to +85 | |
保存溫度 | –55 to +125 | |||
電源電壓(V) | +2.5 ± 5 %, +3.3 ± 10 % | |||
電流消耗 |
Enable (mA) | Max. 60 (Typ. 36) (STAND-BY=VCC or OPEN, RL=50Ω) | ||
Stand-by (μA) | Max. 30 (STAND-BY=GND) | |||
輸出電壓(V) | VOL : VCC –1.81 to VCC 1.62 (DCcharacteristics) | |||
VOH : VCC –1.025 to VCC –0.88 (DC characteristics) | ||||
上升/下降時間(單位:納秒) | Max. 1 (20 to 80% Waveform) | |||
對稱(%) | 45 to 55 (at 50% Waveform) | |||
輸出負載(Ω) | 50 (Terminated to VCC–2.0V) | |||
相位抖動 | Max. 1 (Offset frequency : 12kHz to 20MHz) |
石英芯片主要有方片(9.9*9.9),圓片(φ8.70-φ5.50),目前應用最廣泛的是條片,條片的主要尺寸有:
芯片尺寸 |
Hosonic產品規格 | 芯片尺寸 | Hosonic產品規格 | 芯片尺寸 | Hosonic產品規格 |
8.00*2.00 | 49S/49SM/49SSM | 3.50*1.80 | 5S/5F/5032/OSC | 1.60*1.00 | 2SB |
5.00*2.50 | 8FA/7SB/7050/OSC | 2.80*1.20 | 4SB | 1.40*0.90 | 1AB |
4.00*1.80 | 6SB、6FA/B | 2.00*1.20 | 3SB |
石英芯片按是否修邊可分為平片、修邊片(凸片).低頻片一般要導邊(修邊),主要是降低電阻(ESR);按是否拋光可分為非拋光片、拋光片(一般80.000 MHz以上進行拋光,降低芯片電阻). 石英芯片的基本加工工序主要有:切割、研磨、腐蝕、清洗.每一個工序跟頻率都有一定的相關性 切割:用不同角度對石英晶棒進行切割,可獲得不同壓電特性、彈性特性和強度特性之石英芯片其電特性也各異,用它來制造的諧振器的性能也不一樣,通常我們把石英芯片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英芯片的切型.各種切型中目前較被廣泛應用之切型為AT、BT、DT.其他切型還有 CT、GT、NT、ET、FC、SC、LC等,石英產品一般是AT切,BT切產品一般出現在頻率30M以上的產品中.
NDK的發展:
1948 年 在東京都中央區日本橋設立南部商工株式會社
1949 年 開始晶體諧振器的制造、銷售
1950 年 公司名變更為日本電波工業株式會社總公司遷移登記至東京都涉谷區大山町
1964 年 在狹山事業所建成組裝工廠 在大阪府大阪市設立大阪辦事處
1989 年 北在北海道函館市建立函館NDK株式會社
1990 年 在東京都新宿區西新宿設立總公司事務所在東京證券交易所 市場第2部上市
1994 年 在中國江蘇省建立蘇州日本電波工業有限公司在意大利設立NDK Italy Srl.NDK取得ISO9001認證
1995 年 在香港成立日本電波工業(香港)有限公司
1998 年 NDK取得QS9000認證在東京證券交易所 市場第1部上市
1999 年 狹山事業所取得ISO14001認證
2001 年 在德國設立NDK Europe Ltd. German Office,(2008年設立NDK Germany Gmbh并開始運作)
2002 年 NDK America, Inc. 的總公司辦公室搬至美國伊利諾斯州在美國伊利諾斯州成立NDK America, Inc.在北海道函館市建立NRS Technologies Inc. 在中國上海設立日電波水晶(上海)貿易有限公司
2004 年 在北海道千歲市成立千歲技術中心
2005 年 函館NDK吸收合并NRS Technologies Inc.總公司搬至東京都涉谷區笹塚
在晶體元器件市場,市場價格的持續下滑等使得嚴峻的事業環境還將繼續.在這樣的環境下,本集團為了回歸成長路線,將通過重視收益性的改善,集中經營資源于高信賴?高附加價值的商品的開發,來確實建立產生利益體制的堅固基礎.


NDK晶體科技股份有限公司,依據‘ISO 14001環境/OHSAS-18001安衛管理系統’要求制定本‘環境/安衛手冊’,以界定本公司環境/安衛管理系統之范圍,包括任何排除之細節及調整,并指引環境/安衛管理系統與各書面、辦法書之對應關系,包含在環境/安衛管理系統內之流程順序及交互作用的描述.本公司環境/安衛管理系統之適用范圍包含公司所有的活動、產品及服務.

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SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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手機:18924600166
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