介紹
TC-12.000MBD-T,TD-12.000MBD-T,TD-4.096MBD-T.為了保護和確保可焊性,Statek晶振建議將我們的標準產品儲存在15°C至35°C的溫度和25%至85%RH的濕度下。
本文檔提供了在客戶所在地處理晶體或晶體振蕩器產品的指南。它涵蓋了從在客戶碼頭收到產品并存儲在客戶貨架上的產品處理，通過從裝運箱中取出、電路板焊接和分板/分割，以及在客戶的最終產品中安裝到客戶的電路板上。

7XZ-32.768KDA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBA-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
7W-50.000MBA-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
7W-50.000MBA-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
AU-26.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
AU-26.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
AU-26.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
7C-40.000MBA-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7C-40.000MBA-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7C-40.000MBA-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7Z-38.400MBG-T	TXC晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
7Z-38.400MBG-T	TXC晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
7Z-38.400MBG-T	TXC晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
6U-16.384MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
6U-16.384MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
6U-16.384MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
BF-125.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm

盡管本技術說明為所有晶體和晶體振蕩器設備提供了處理指南，但Statek晶體和晶體振蕩器的設計和制造堅固耐用，在遭受錯誤處理時應該優于行業中的平均晶體和晶體振蕩器。 

BF-125.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm
BF-125.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7W-25.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-25.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-25.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AU-50.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm

所有晶體和晶體振蕩器的一般處理指南
晶體和振蕩器產品的設計和制造能夠承受一定的沖擊水平。這些級別在產品數據表的“規格”部分中進行了說明。由于處理或制造過程步驟而超過這些沖擊水平可能會導致設備的電氣特性發生變化和/或實際損壞。

AU-50.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm
AU-50.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm
7X-38.400MBA-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
7X-38.400MBA-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
7X-38.400MBA-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
BB-125.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
BB-125.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
BB-125.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-24.576MBA-T	TXC晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7W-24.576MBA-T	TXC晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7W-24.576MBA-T	TXC晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7X-19.200MBA-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm

為了保護和確保可焊性，Statek建議將我們的標準產品儲存在15°C至35°C的溫度和25%至85%RH的濕度下。
一些客戶報告說，對晶體進行超聲波清洗會損壞晶體，或者在極端情況下會導致晶體破裂。這種損壞或破損可能發生在低頻和高頻晶體中。因此，我們建議客戶在對我們的設備進行超聲波清洗時要小心，并首先嘗試驗證這樣的清洗過程不會損壞設備。

7X-19.200MBA-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm
7X-19.200MBA-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BB-150.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm
BB-150.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm

如果使用自動組裝機或拾放機將零件從托盤或卷軸上放置到板上，建議調整機器臂的速度，并且機器正確對減速和設備高度進行編程，以免在放置零件時由于頭部的沖擊而損壞零件。使用柔軟或橡膠包覆的尖端也有助于消除對設備的任何損壞。

BB-150.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
7N-12.800MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-12.800MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-12.800MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
TC-3.6864MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TC-3.6864MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TC-3.6864MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	70MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	70MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	70MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	19.2MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	19.2MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	19.2MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	64MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	64MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	64MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	7.3728MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	7.3728MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	7.3728MHz	±25ppm
7W-32.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm
7W-32.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm

處理所有晶體和晶體振蕩器的印刷線路板
在電路板制造/焊接過程中，應盡量減少任何電路板剪切、彎曲、扭曲、振動或類似力，以降低損壞設備的風險。

7W-32.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm
7X-19.200MBE-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBE-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBE-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
8W-26.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	26MHz	±50ppm
8W-26.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	26MHz	±50ppm
8W-26.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	26MHz	±50ppm
7X-30.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-25.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	25MHz	±50ppm
7X-25.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	25MHz	±50ppm
7X-25.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	25MHz	±50ppm
7X-38.400MBE-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±50ppm
7X-38.400MBE-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±50ppm
7X-38.400MBE-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±50ppm
7X-48.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	48MHz	±50ppm
7X-48.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	48MHz	±50ppm
7X-48.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	48MHz	±50ppm
8W-20.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	20MHz	±50ppm
8W-20.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	20MHz	±50ppm
8W-20.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	20MHz	±50ppm
8W-13.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	13MHz	±50ppm
8W-13.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	13MHz	±50ppm
8W-13.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	13MHz	±50ppm
7X-50.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	50MHz	±50ppm
7X-50.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	50MHz	±50ppm
7X-50.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	50MHz	±50ppm
8W-24.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	24MHz	±50ppm
8W-24.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	24MHz	±50ppm

如果PC板面板包含超過一定數量的板（例如，25到30個板），則任何此類問題都可能會加劇。由于板填充過程引入到板的部分力被傳遞到板上的所有板，在每個板有大量板的情況下，累積振動效應轉移到板上的最后幾塊板可能被證明是過度的。

8W-24.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	24MHz	±50ppm
7X-26.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	26MHz	±50ppm
7X-26.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	26MHz	±50ppm
7X-26.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	26MHz	±50ppm
TD-4.096MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	4.096MHz	±25ppm
TD-4.096MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	4.096MHz	±25ppm
TD-4.096MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	4.096MHz	±25ppm
TC-33.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	33MHz	±25ppm
TC-33.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	33MHz	±25ppm
TC-33.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	33MHz	±25ppm
TD-40.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	40MHz	±25ppm
TD-40.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	40MHz	±25ppm
TD-40.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	40MHz	±25ppm
TD-49.152MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	49.152MHz	±25ppm
TD-49.152MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	49.152MHz	±25ppm
TD-49.152MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	49.152MHz	±25ppm
TC-4.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	4MHz	±25ppm
TC-4.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	4MHz	±25ppm
TC-4.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	4MHz	±25ppm
TC-16.0972MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	16.0972MHz	±25ppm
TC-16.0972MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	16.0972MHz	±25ppm
TC-16.0972MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	16.0972MHz	±25ppm
TD-24.576MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TD-24.576MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TD-24.576MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TC-24.576MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TC-24.576MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TC-24.576MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TD-12.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	12MHz	±25ppm
TD-12.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	12MHz	±25ppm
TD-12.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	12MHz	±25ppm
TC-20.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	20MHz	±25ppm
TC-20.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	20MHz	±25ppm
TC-20.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	20MHz	±25ppm
TC-12.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	12MHz	±25ppm