OCXO：烤箱控制晶體振蕩器
如果穩(wěn)定性要求太嚴(yán)格而無法通過基本晶體振蕩器或TCXO來滿足，則晶體和關(guān)鍵電路可以通過烤箱進(jìn)行溫度控制。Vectron恒溫器控制晶體振蕩器的框圖類似于Vectron TCXO的框圖，只是刪除了變?nèi)荻O管和相關(guān)的熱敏電阻補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，而振蕩器由比例控制的恒溫器晶振進(jìn)行溫度控制。

16.0000M-FQ5032-T

Hosonic 晶振

5x3.2mm SMD Xtal

18.4320M-FQ5032-T

Hosonic 晶振

5x3.2mm SMD Xtal

5SB10.0000F20E33F

Hosonic 晶振

CRYSTAL / 10.000MHZ / 20pf / 5.0x3.2x0.9

D7SX30E00000PE

Hosonic 晶振

D37A30.0000NNS

E2SB16.0000F10E11

Hosonic 晶振

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 16 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體

E2SB18.4320F10E11

Hosonic 晶振

低至：¥2.937106 (CNY)

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 18.432 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體

E2SB20.0000F10E11

Hosonic 晶振

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 20 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體

E2SB24.0000F10E11

Hosonic 晶振

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 24 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體

E2SB27.0000F10E11

Hosonic 晶振

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 27 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體

E3FB12.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-3FB 系列 12 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元

E3FB16.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-3FB 系列 16 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元

E3FB24.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-3FB 系列 24 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元

E3FB27.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-3FB Series 27 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

比例控制是一種電子伺服系統(tǒng)，持續(xù)為烤箱供電；它會(huì)改變烤箱的功率，不斷補(bǔ)償環(huán)境溫度的變化。在許多Vectron烤箱控制振蕩器中，熱敏電阻被熱沉到烤箱的金屬外殼上以感應(yīng)溫度。熱敏電阻是電阻橋的一個(gè)分支。

E3SB12E000021E

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 12 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB13.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB13.5600F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13.56 MHz ±10 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB13.5600F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13.56 MHz ±10 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB16.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 16 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB18.4320F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 18.4318 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB20E000014E

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 20 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB24.0000F12M33

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 24 MHz ±15 ppm 12 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E3SB24.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 24 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB24.5760F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 24.576 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB24E00000SE

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 24 MHz ±20 ppm 10 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

電橋的工作原理是，如果烤箱的溫度由于環(huán)境溫度變化而降低，熱敏電阻電阻的變化會(huì)導(dǎo)致電橋不平衡，從而增加電橋輸出電壓。該電壓在高增益差分放大器中被放大。差分放大器的輸出在功率放大器中進(jìn)一步放大，直接驅(qū)動(dòng)到烘箱繞組中。因此，由于電橋不平衡導(dǎo)致的小電壓增加會(huì)在烘箱繞組上產(chǎn)生很大的電壓增加。烤箱功率的增加會(huì)產(chǎn)生更多的熱量，以補(bǔ)償最初由熱敏電阻感應(yīng)到的溫度下降。同樣，烤箱溫度升高會(huì)導(dǎo)致橋輸出電壓降低，從而導(dǎo)致進(jìn)入烤箱的功率降低并補(bǔ)償溫度降低。

E3SB25.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 25 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB26E00000YE

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 26 MHz ±20 ppm 12 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E3SB27E0X000LE

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 27 MHz ±20 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E3SB40.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 40 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB40E001200E

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 40 MHz ±30 ppm 10 pf -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E49A11E0X000JE

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 11.0592 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

E49A12E00000ME

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

E49A16E00000ME

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 16 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

E49A24E00000HE

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 24 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

E49A25E00001AE

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 25 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

E49A25E000033E

Hosonic 晶振

20pf/±30ppm/±30ppm/-20+70c/F/Lead cut=3.2±0.2 Crystal

E49A4E000000JE

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 4 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

E49A7E00X0007E

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 7.3728 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

在某些Vectron OCXO中使用的這種設(shè)計(jì)的替代方案是將功率放大器的熱量沉入烤箱外殼作為熱傳遞機(jī)制，以代替加熱器繞組。這個(gè)概念是相同的，唯一的區(qū)別是加熱到烤箱的車輛。

E49A8E000001CE

Hosonic 晶振

E49A Series 10 pF -20 to +70 °C Through Hole Crystal

E49B10E00000TE

Hosonic 晶振

E49B Series 10 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E49B12E00001DE

Hosonic 晶振

E49B Series 66 MHz ±50 ppm 10 pF -30 to +85 °C Surface Mount Crystal - HC-49/S

E49B12E000022E

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 12 MHz ±30 ppm 10 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

E49B16E00000KE

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 16 MHz 16 pF 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 表面貼裝 晶體單元

E49B16E00000SE

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 16 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

E49B4E000000GE

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 4 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 單元

E49B4E00X000ZE

Hosonic 晶振

E49B Series 10 pF -20 to +70°C Surface Mount Crystal

E49B7E00X000AE

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 7.3728 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

E49B8E00X000CE

Hosonic 晶振

E49B Series 10pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E49B9E00X0009E

Hosonic 晶振

ESB 系列 9.84375 MHz ±30 ppm 10 pF -40至85 °C 表面貼裝 晶體

E5FA10.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 10 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA12E00000ME

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA13.5600F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA Series 13.56 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

使用比例控制的烘箱可以將振蕩器溫度穩(wěn)定性相對(duì)于晶體的固有穩(wěn)定性提高5000倍以上（例如，在0-50°C范圍內(nèi)從±1x10-5到±1x10-9）。然而，烤箱控制系統(tǒng)并不完美，因?yàn)?a)開環(huán)增益不是無限的，(b)烤箱內(nèi)部存在內(nèi)部溫度梯度，以及(c)烤箱外部受環(huán)境溫度變化影響的電路可以“拉”頻率。因此，環(huán)境溫度的變化將導(dǎo)致烘箱溫度的微小變化。

E5FA14.7456F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA16.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 16 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA18.4320F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 18.432 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA24.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA24.0000F20D33

Hosonic 晶振

HCX-5FA Series 24 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E5FA24.5760F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA25E00000KE

Hosonic 晶振

HCX-5FA Series 25 MHz ±30 ppm 16 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E5FA25E00000TE

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB11E0X0006E

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 11.0592 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB12.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB13.5600F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 13.56 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB14.7456F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB20.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 20 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB24.0000F18M12

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

E5SB24.5760F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

當(dāng)振蕩器最初在室溫下打開時(shí)，相對(duì)于烘箱穩(wěn)定后的輸出頻率，頻率非常高，通常為30x10-6。這僅僅是因?yàn)锳T切割晶體的頻率在室溫下遠(yuǎn)高于其上限周轉(zhuǎn)溫度。隨著烤箱升溫，晶體頻率迅速降低。在標(biāo)準(zhǔn)Vectron振蕩器中，烘箱在10-15分鐘內(nèi)達(dá)到平衡，但晶體在穩(wěn)定之前顯示出橡皮筋效應(yīng)并超出其最終頻率。通常，開機(jī)后30分鐘內(nèi)即可達(dá)到較高的穩(wěn)定性；在特殊的快速預(yù)熱設(shè)計(jì)中，此時(shí)間可縮短至5分鐘以下。

E5SB25.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB25E00001LE

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB27.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 27 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

ESA10.0000F30C35F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 10 MHz ±30 ppm 10 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA12.0000F20B35F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA12.0000F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 12 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

ESA12.0000F30D35F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA12.000F30D55F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA14.7456F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 14.7456 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

ESA16.0000F30M55F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 16 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA18.4320F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 18.432 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

ESA20.0000F18M33F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 20 MHz ±50 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA20.0000F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 20 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

ESA20.0000F30M55F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 20 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

1.成本。由于在制造SC晶體時(shí)圍繞兩個(gè)軸的嚴(yán)格控制角度旋轉(zhuǎn)與AT的一個(gè)軸相比存在困難，因此SC晶體的成本明顯高于相同頻率和泛音的AT。

ESA3.68640F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 3.6864 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

ESA8.00000F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 8 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

ESB10.0000F20M35F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 10 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB11.0592F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 11.0592 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB12.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB14.7456F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB16.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 16 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB18.4320F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 18.432 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB19.2000F32M55F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 19.2 MHz ±30 ppm 32 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB19.44000F18M55F

Hosonic 晶振

49SMA 系列 10 x 3.5 mm 19.44 MHz ±50 ppm 18 pF -40至85 晶振

ESB20.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 20 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB24.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB24.5760F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB25.0000F18C25F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 25 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB25.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

2.可拉性。SC晶體的運(yùn)動(dòng)電容比相同頻率和泛音的AT小數(shù)倍，從而降低了“拉動(dòng)”晶體頻率的能力。這限制了SC晶體在傳統(tǒng)TCXO和VCXO中的使用，甚至在需要能夠以任何顯著程度偏離振蕩頻率的恒溫振蕩器中使用。

ESB3.68640F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 3.6864 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB4.00000F20E23FX

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 4 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB6.00000F16D33F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 6 MHz ±30 ppm 16 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB8.00000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 8 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB8.00000F20B33F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 8 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

總結(jié)，就這些型號(hào)

16.0000M-FQ5032-T

18.4320M-FQ5032-T

5SB10.0000F20E33F

D7SX30E00000PE

E3SB12E000021E

E3SB16.0000F16M33

E3SB16E001500E

E3SB18.4320F18E22

E3SB20E000014E

E3SB24.0000F12M33

E3SB24E00000SE

E3SB26E00000YE

E3SB27E0X000LE

E3SB32E001500E

E3SB40E001200E

E3SB48E000801E

E49A11E0X000JE

E49A12E00000ME

E49A16E00000ME

E49A24E00000HE

E49A25E00001AE

E49A25E000033E